思坦科技无掩膜光刻技术实现重大突破深紫外Micro-LED引领未来显示技术

　　（全球TMT 2024年10月21日讯）在深紫外显示技术领域，思坦科技近期与南方科技大学、香港科技大学及国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合研发的无掩膜光刻技术取得了重大的突破。这一新技术的研究结果已于10月15日在国际权威学术期刊《Nature Photonics》上正式发表，令人期待。

　　这一研究的核心在于开发了一种基于高功率铝镓氮（AlGaN）深紫外Micro-LED的无掩膜光刻技术，尤其是在当前半导体制造领域面临的掩膜版高成本和效率限制问题上，此技术提供了一条新的解决路径。思坦科技Micro-LED研究院的青年研究员冯锋博士作为第一作者，创始人刘召军博士担任通讯作者，此次合作成果的成功展示了学术界与产业界之间的良好互动。

　　传统光刻工艺依赖于昂贵的掩膜版，这不仅提高了生产所带来的成本，而且限制了光刻效率。思坦科技的创新通过无掩膜光刻技术，意味着在Micro-LED显示的制造中，能够明显降低成本，同时提升曝光效率。研究团队通过AlGaN材料制造出波长为270纳米的深紫外Micro-LED，这种LED的像素尺寸仅为3微米，标志着技术上实现了重大飞跃。

　　无掩膜光刻的优点是其灵活性和高效性。与传统的电子束直写曝光技术相比，新技术的效率更加高，可以在Micro-LED显示屏幕制造上实现成功应用。这一成果不仅是对传统光刻技术的挑战，更是未来Micro-LED显示技术发展的重要里程碑。思坦科技的团队计划在此基础上继续提升AlGaN深紫外Micro-LED的性能，为半导体领域带来更高效、成本效益更优的芯片制造方案。

　　从用户角度来看，使用Micro-LED技术的设备在显示效果上将有显著提升。这种技术的普及不仅有助于提升显示器的分辨率和色彩再现能力，还可能在广泛的行业应用中开辟新的市场机遇，特别是在消费电子、汽车显示及大型显示屏等领域的应用。

　　展望未来，思坦科技的无掩膜光刻技术将推动显示技术的逐步发展，同时也为半导体行业带来新的机遇。除了豪华的视觉体验，技术的进步也促进了绿色环保目标的实现，因为更高的生产效率往往伴随着更低的能耗和更少的材料浪费。

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