【48812】18年了还卡在90nm国产光刻机这个坎跨曩昔就能到10nm

  众所周知，国内有一家光刻机巨子，那便是上海微电子，它好像也是国内仅有能够出产芯片光刻机的厂商，现在能够出产最高用于90nm芯片制作的光刻机，在低端商场仍是很有份量的。

  上海微电子是2002年才进入光刻机范畴的，而像ASML是1984年就进入该范畴了，能够说是晚了20年，所以在技能上，上海微电子现在也才完结了90nm，而ASML能够在必定程度上完结3nm的芯片光刻机了。

  那么为何上海微电子从2002年进入，到现在都18年了，为何还停留在90nm？中心究竟是什么原因呢？其实说真的，在于有一个坎还没有跨曩昔，只需跨曩昔了，就能够当即进入么10nm了，这个坎便是滋润式光刻技能。

  光刻机的中心是光源，而光刻机的工艺才能要取决于光源的波长，现在运用的主要有三类光源，最早是汞灯光源，在365-436nm之间，后来发展到DUV光源，波长在248-193之间，而EUV光源则是13.5nm。

  光刻机在发展到193nm波长的光源时，后来的动作是进入到157nm，但技能难度大，后来台积电的工程师提出了一个主意，那便是为何不用水来做介质，让光在水中发生折射，这样波长就等效于变短了么？所以滋润式光刻机技能出来了，也便是ArF+immersion，分明是193nm，却等效于134nm光源。

  如上图，我们就理解了，90nm、65/55nm的芯片，是用193nm的ArF源光的光刻机进行光刻机的，也便是现在上海微电子的水平。

  但假如完结了滋润式技能之后，193nm的光源等效于134nm，那么就能轻松完结45/40、28nm、22/20、14/16、10nm这些节点的芯片光刻了。

  只需进入到下一阶段10nm以及更顶级的芯片时，才需求用到EUV光刻技能，而在10nm或以上，都是运用193nm的光源，再合作滋润式技能就行了。

  所以说上海微电子只需跨过滋润式光刻机技能这个坎之后， 就将迎来大前进，而不是一步一台阶，是能轻松完结一步很多小台阶。