【48812】南大光电高端ArF光刻胶取得打破 未来可用于7nm工艺

  东西南大光又在逻辑芯片制作企业55nm技能节点的产品上取得了认证打破，标明公司光刻胶产品已具有55nm渠道后段金属布线层的工艺要求。

  除了光刻机等中心设备以外，光刻胶也是半导体制作上不可或缺的一项。光刻胶具有光化学敏感性，经过使用光化学反响，并经光刻 工艺将所需求的微细图形从掩模版转移到待加工基片上，可应用于 PCB、LCD 与集成 电路等下流范畴。

  南大光电于5月31日晚间发布了重要的公告，控股子公司宁波南大光电自主研制的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制作企业的50nm闪存渠道上经过认证后，东西又在逻辑芯片制作企业55nm技能节点的产品上取得了认证打破，标明公司光刻胶产品已具有55nm渠道后段金属布线层的工艺要求。

  在光刻机市场上，国内自给率极低，欧美日等区域的厂商占有首要比例，JSR、信越化学等TOP5厂商占有全球87%的比例。

  光刻胶有不同的技能类别，低端的中g线/i线%，KrF光刻胶自给率缺乏5%，而高端的ArF光刻胶彻底依靠进口，是国内半导体的卡脖子技能之一。

  尽管南大光电的ArF光刻胶现在经过的是55nm工艺认证，但ArF光刻胶包括的工艺技能很广，可用于90nm-14nm乃至7nm 技能节点制作工艺，大范围的应用于高端芯片制作（如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云核算芯片等）。

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