国产光刻机即将迎来大突破!只需掌握这项黑科技：即可造10nm芯片

  【7月29日讯】相信我们大家都知道，国产芯片发展之所以一直都受到制约，很大程度上也是因光刻机设备的“制约”，国内的芯片代工巨头没有办法获得最先进的EUV极紫外光刻机设备，尤其是中兴国际，在2018年就曾向ASML订购了一台5nmEUV极紫外光刻机设备，但一直都受到了“阻力”，导致中芯国际无法正常购得这台先进的光刻机设备，导致国内芯片制造技术整体较为落后，因为目前国产光刻机设备最多也只能够生产90nm芯片，反观ASML的EUV光刻机已能实现3nm制程工艺节点了。

  如何能够提高国产光刻机的制造工艺水平，也成为了广大网友们最为关心的话题，同时也成为了国内众多芯片企业想要共同攻克的难题，而根据业内人士所透露的信息显示，我国企业只需要掌握浸润式技术，不需要攻克EUV光源技术，也能轻松实现10nm芯片的量产，甚至还可以实现7nm芯片的量产；何为浸润式技术呢？

  目前全球光刻机设备主要采用了汞灯光源、DUV光源以及EUV光源这三种技术，其中汞灯光源技术是最为原始的技术，早已经不再适用于现在的芯片工艺制造，而对于DUV光源技术也分为三种，它们分别是KrF、ArF以及F2，但当时的光刻机设备也在攻克157nm技术时受限，但很快台积电的工程师提出了全新的解决方案，那就是“浸润式”，直接使用水作为介质，直接攻破了以空气为介质的难题无法实现157nm 技术的难题，通过水的折射，来进一步将波长变得更小，从而进一步提升光刻机的制造工艺精度。

  在得到了台积电工程师的鼎力相助后，ASML便很快就生产出了全球第一台浸润式光刻机设备，通过利用193nm波长的DUV光源，就实现了等效134nm波长光源技术。

  随后Intel、三星这样的大厂也纷纷开始试验，最终也是经过了一系列的改造之后，直接将原有的193nm波长的光源的光刻机，加入浸润式技术，就可以实现10nm、7nm的芯片制造，所以对于国内最强的光刻机制造厂商—上海微电子而言，只要掌握浸润式即使，就可以让自家的光刻机制造工艺水准再提升很多个等级，直接能轻松实现10nm、7nm芯片的量产，让国产芯片制造不再受到“卡脖子”的威胁。

  最后：各位小伙伴们，对于国产芯片制造的短板—光刻机设备将会取得长足发展，你们都有咋样的意见和看法呢？欢迎在评论区中留言讨论，期待你们的精彩评论！